Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS5U17TR
QS5U17TR

QS5U17TR Rohm Semiconductor

qs5u17.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1032+13.71 грн
1080+13.11 грн
1090+12.98 грн
2000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 1032 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS5U17TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS5U17TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції QS5U17TR за ціною від 20.23 грн до 78.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS5U17TR QS5U17TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 8472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.10 грн
100+30.82 грн
500+22.35 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR QS5U17TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET N-CH 30V 2A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR QS5U17TR ROHM datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - QS5U17TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17-TR
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U17TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 8472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.38 грн
10+47.10 грн
100+30.82 грн
500+22.35 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U17TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U17TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS5U17TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17-TR
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.