QS5U17TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5U17TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT5, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta).
Інші пропозиції QS5U17TR за ціною від 15.26 грн до 48.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QS5U17TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V |
на замовлення 8691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QS5U17TR | ROHM Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 2A |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QS5U17-TR |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| QS5U17TR |
|
на замовлення 2140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| QS5U17TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.60 грн |
| 10+ | 39.26 грн |
| 100+ | 27.21 грн |
| 500+ | 21.33 грн |
| 1000+ | 18.16 грн |
| QS5U17TR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A
MOSFET N-CH 30V 2A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.73 грн |
| 10+ | 42.95 грн |
| 100+ | 25.47 грн |
| 500+ | 21.33 грн |
| 1000+ | 18.09 грн |
| 3000+ | 16.43 грн |
| 6000+ | 15.26 грн |