QS5U27TR Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 606+ | 23.36 грн |
| 629+ | 22.51 грн |
| 1000+ | 21.77 грн |
| 2500+ | 20.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5U27TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT5, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції QS5U27TR за ціною від 34.68 грн до 53.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS5U27TR | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
QS5U27TR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs P-CH 20V 1.5A |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| QS5U27TR |
|
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| QS5U27TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.47 грн |
| 10+ | 45.22 грн |
| 100+ | 34.68 грн |
| QS5U27TR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs P-CH 20V 1.5A
MOSFETs P-CH 20V 1.5A
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)