QS5U28TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.69 грн |
| 10+ | 50.44 грн |
| 100+ | 33.08 грн |
| 500+ | 24.05 грн |
| 1000+ | 21.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5U28TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT5.
Інші пропозиції QS5U28TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
QS5U28TR | ROHM Semiconductor |
MOSFET P-CH 20V 2A |
на замовлення 4303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| QS5U28TR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A
MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)