| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.58 грн |
| 10+ | 40.29 грн |
| 100+ | 31.06 грн |
| 500+ | 24.07 грн |
| 1000+ | 23.11 грн |
| 3000+ | 18.84 грн |
| 6000+ | 18.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5U33TR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 2, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 5, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції QS5U33TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
QS5U33TR | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
QS5U33TR | ROHM |
Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 1.25 Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| QS5U33TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| QS5U33TR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - QS5U33TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.225 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.225
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.