
QS5U36TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 43.77 грн |
10+ | 35.71 грн |
100+ | 24.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5U36TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT5, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V.
Інші пропозиції QS5U36TR за ціною від 12.07 грн до 47.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QS5U36TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
QS5U36TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |