на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 451+ | 27.62 грн |
| 470+ | 26.51 грн |
| 500+ | 25.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS6J11TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 600mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active.
Інші пропозиції QS6J11TR за ціною від 14.98 грн до 79.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QS6J11TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS6J11TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS6J11TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 2A 6PIN |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS6J11TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active |
на замовлення 3059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS6J11TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| QS6J11TR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
QS6J11TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active |
товару немає в наявності |