QS6K1FRATR

QS6K1FRATR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS6K1FRATR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції QS6K1FRATR за ціною від 13.46 грн до 70.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QS6K1FRATR QS6K1FRATR Виробник : Rohm Semiconductor 440338344611472qs6k1fra.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A Automotive 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
570+21.42 грн
592+20.64 грн
1000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 570
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR QS6K1FRATR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 0.26Rds(on) 1.7Qg
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.31 грн
10+34.77 грн
100+20.30 грн
500+16.41 грн
1000+15.01 грн
3000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR QS6K1FRATR Виробник : Rohm Semiconductor 440338344611472qs6k1fra.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A Automotive 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+54.29 грн
344+35.49 грн
503+24.30 грн
505+23.33 грн
603+18.07 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR QS6K1FRATR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+42.76 грн
100+27.83 грн
500+20.09 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key QS6K1FRATR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.