Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS6K1FRATR
QS6K1FRATR

QS6K1FRATR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.38 грн
6000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS6K1FRATR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції QS6K1FRATR за ціною від 13.74 грн до 71.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS6K1FRATR QS6K1FRATR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.84 грн
100+24.66 грн
500+17.81 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR QS6K1FRATR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 0.26Rds(on) 1.7Qg
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.36 грн
10+43.82 грн
100+24.78 грн
500+19.12 грн
1000+17.26 грн
3000+14.91 грн
6000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR QS6K1FRATR Rohm Semiconductor 1862072782507336qs6k1fra.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR QS6K1FRATR Rohm Semiconductor 1862072782507336qs6k1fra.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K1FRATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.84 грн
100+24.66 грн
500+17.81 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR datasheet?p=QS6K1FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K1FRATR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 0.26Rds(on) 1.7Qg
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.36 грн
10+43.82 грн
100+24.78 грн
500+19.12 грн
1000+17.26 грн
3000+14.91 грн
6000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR 1862072782507336qs6k1fra.pdf
QS6K1FRATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1FRATR 1862072782507336qs6k1fra.pdf
QS6K1FRATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.