на замовлення 14303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 883+ | 13.89 грн |
| 1053+ | 11.65 грн |
| 1112+ | 11.03 грн |
| 2000+ | 10.55 грн |
| 3000+ | 9.30 грн |
| 6000+ | 8.57 грн |
| 12000+ | 8.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS6K1TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції QS6K1TR за ціною від 15.33 грн до 71.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS6K1TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
на замовлення 25080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QS6K1TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
QS6K1TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| QS6K1TR | Виробник : ROHM |
05+ |
на замовлення 27010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| QS6K1 TR | Виробник : ROHM | SOT23-4 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| QS6K1 TR | Виробник : ROHM | SOT26 |
на замовлення 5290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| QS6K1TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| QS6K1TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
QS6K1TR Multi channel transistors |
товару немає в наявності |