Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS6K1TR
QS6K1TR

QS6K1TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.14 грн
6000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS6K1TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції QS6K1TR за ціною від 15.81 грн до 78.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS6K1TR QS6K1TR Rohm Semiconductor qs6k1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+21.48 грн
685+20.70 грн
1000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR QS6K1TR ROHM qs6k1-e.pdf Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.97 грн
500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR QS6K1TR Rohm Semiconductor qs6k1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.24 грн
388+36.54 грн
500+29.46 грн
1000+25.43 грн
3000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR QS6K1TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.66 грн
100+27.24 грн
500+19.74 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR QS6K1TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6
на замовлення 14442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+48.19 грн
100+27.41 грн
500+21.19 грн
1000+19.19 грн
3000+17.60 грн
6000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR QS6K1TR ROHM qs6k1-e.pdf Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.28 грн
50+48.89 грн
100+31.97 грн
500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR ROHM datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 05+
на замовлення 27010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1 TR ROHM SOT26
на замовлення 5290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR qs6k1-e.pdf
QS6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
660+21.48 грн
685+20.70 грн
1000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR qs6k1-e.pdf
QS6K1TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+31.97 грн
500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR qs6k1-e.pdf
QS6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
267+53.24 грн
388+36.54 грн
500+29.46 грн
1000+25.43 грн
3000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.12 грн
10+41.66 грн
100+27.24 грн
500+19.74 грн
1000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K1TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6
на замовлення 14442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.28 грн
10+48.19 грн
100+27.41 грн
500+21.19 грн
1000+19.19 грн
3000+17.60 грн
6000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR qs6k1-e.pdf
QS6K1TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+78.28 грн
50+48.89 грн
100+31.97 грн
500+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM
05+
на замовлення 27010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1 TR
Виробник: ROHM
SOT26
на замовлення 5290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.