QS6K21TR

QS6K21TR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.31 грн
6000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS6K21TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.3 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції QS6K21TR за ціною від 16.00 грн до 81.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QS6K21TR QS6K21TR Виробник : ROHM qs6k21-e.pdf Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 6836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.71 грн
10+38.04 грн
100+26.32 грн
500+20.64 грн
1000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR Виробник : Rohm Semiconductor qs6k21-e.pdf Trans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
201+61.05 грн
232+52.79 грн
336+36.49 грн
338+34.99 грн
500+27.21 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR Виробник : ROHM qs6k21-e.pdf Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.35 грн
19+45.20 грн
100+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.96 грн
10+50.16 грн
100+28.22 грн
500+21.88 грн
1000+19.85 грн
3000+17.43 грн
6000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key QS6K21TR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.