Продукція > ROHM > QS6K21TR
QS6K21TR

QS6K21TR ROHM

qs6k21-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+28.21 грн
500+20.38 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS6K21TR ROHM

Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції QS6K21TR за ціною від 16.75 грн до 73.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS6K21TR QS6K21TR Rohm Semiconductor qs6k21-e.pdf Trans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.04 грн
399+35.45 грн
518+27.35 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.32 грн
100+25.64 грн
500+18.54 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR ROHM qs6k21-e.pdf Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.07 грн
19+43.16 грн
100+28.21 грн
500+20.38 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR QS6K21TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR qs6k21-e.pdf
QS6K21TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
262+54.04 грн
399+35.45 грн
518+27.35 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K21TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.84 грн
10+39.32 грн
100+25.64 грн
500+18.54 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR qs6k21-e.pdf
QS6K21TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+73.07 грн
19+43.16 грн
100+28.21 грн
500+20.38 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K21TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K21TR datasheet?p=QS6K21&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K21TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2385 шт
В кошику  од. на суму  грн.