Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS6M4TR
QS6M4TR

QS6M4TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.67 грн
6000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS6M4TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS6M4TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.23 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції QS6M4TR за ціною від 15.75 грн до 64.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+20.64 грн
710+19.90 грн
1000+19.25 грн
2500+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+38.40 грн
383+36.87 грн
500+35.53 грн
1000+33.15 грн
2500+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.64 грн
100+34.57 грн
500+25.41 грн
1000+21.06 грн
3000+17.29 грн
6000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+53.64 грн
409+34.57 грн
536+26.35 грн
1000+22.74 грн
3000+18.01 грн
6000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.08 грн
10+38.55 грн
100+25.12 грн
500+18.14 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR QS6M4TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
на замовлення 11537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR QS6M4TR ROHM qs6m4.pdf Description: ROHM - QS6M4TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR QS6M4TR Rohm Semiconductor 46621085630317672qs6m4.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4 TR ROHM SOT26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR 46621085630317672qs6m4.pdf
QS6M4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
684+20.64 грн
710+19.90 грн
1000+19.25 грн
2500+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR 46621085630317672qs6m4.pdf
QS6M4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
368+38.40 грн
383+36.87 грн
500+35.53 грн
1000+33.15 грн
2500+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR 46621085630317672qs6m4.pdf
QS6M4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+53.64 грн
100+34.57 грн
500+25.41 грн
1000+21.06 грн
3000+17.29 грн
6000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR 46621085630317672qs6m4.pdf
QS6M4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+53.64 грн
409+34.57 грн
536+26.35 грн
1000+22.74 грн
3000+18.01 грн
6000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6M4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.08 грн
10+38.55 грн
100+25.12 грн
500+18.14 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6M4TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
на замовлення 11537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR qs6m4.pdf
QS6M4TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS6M4TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR 46621085630317672qs6m4.pdf
QS6M4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4TR datasheet?p=QS6M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M4 TR
Виробник: ROHM
SOT26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.