Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8J13TR
QS8J13TR

QS8J13TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J13TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції QS8J13TR за ціною від 22.80 грн до 92.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS8J13TR QS8J13TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+54.77 грн
100+36.09 грн
500+26.35 грн
1000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR Rohm Semiconductor qs8j13.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.06 грн
12+64.20 грн
100+45.33 грн
500+35.11 грн
1000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR Rohm Semiconductor qs8j13.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+92.61 грн
219+64.60 грн
311+45.60 грн
500+35.31 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR ROHM qs8j13.pdf Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8J13TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.66 грн
10+54.77 грн
100+36.09 грн
500+26.35 грн
1000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR qs8j13.pdf
QS8J13TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.06 грн
12+64.20 грн
100+45.33 грн
500+35.11 грн
1000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR qs8j13.pdf
QS8J13TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
153+92.61 грн
219+64.60 грн
311+45.60 грн
500+35.31 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8J13TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR qs8j13.pdf
QS8J13TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.