QS8J13TR

QS8J13TR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J13TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції QS8J13TR за ціною від 21.13 грн до 107.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.78 грн
10+55.28 грн
100+36.47 грн
500+26.63 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.25 грн
10+60.94 грн
100+35.78 грн
500+30.50 грн
1000+24.89 грн
3000+21.77 грн
9000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j13.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+104.75 грн
200+65.89 грн
500+43.42 грн
1000+41.63 грн
3000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR Виробник : ROHM qs8j13.pdf Description: ROHM - QS8J13TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+107.75 грн
14+67.16 грн
100+44.36 грн
500+32.10 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -5.5A; Idm: -18A; 1.5W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: TSMT8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -5.5A
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 58mΩ
Power dissipation: 1.5W
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.