Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8J1TR
QS8J1TR

QS8J1TR Rohm Semiconductor

QS8J1.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J1TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції QS8J1TR за ціною від 31.97 грн до 115.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS8J1TR QS8J1TR Rohm Semiconductor QS8J1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.46 грн
10+70.59 грн
100+47.28 грн
500+34.98 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TR QS8J1TR ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms13055-1-1742418.pdf MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TR QS8J1.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TR QS8J1.pdf
QS8J1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.46 грн
10+70.59 грн
100+47.28 грн
500+34.98 грн
1000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TR rohm_semiconductor_rohms13055-1-1742418.pdf
QS8J1TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J1TR QS8J1.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.