Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8J2TR
QS8J2TR

QS8J2TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J2TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 550mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

Інші пропозиції QS8J2TR за ціною від 25.17 грн до 144.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QS8J2TR QS8J2TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.83 грн
10+63.81 грн
100+42.46 грн
500+31.22 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TR QS8J2TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN
на замовлення 3586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.34 грн
10+68.54 грн
100+39.71 грн
500+31.08 грн
1000+28.37 грн
3000+25.45 грн
6000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TR QS8J2TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j2tr-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+144.05 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TR QS8J2TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j2tr-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J2TR datasheet?p=QS8J2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.