QS8J4TR

QS8J4TR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J4TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції QS8J4TR за ціною від 28.99 грн до 120.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : ROHM qs8j4-e.pdf Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.23 грн
500+41.92 грн
1000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+83.70 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+76.31 грн
100+45.32 грн
500+35.97 грн
1000+33.33 грн
3000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : ROHM qs8j4-e.pdf Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.38 грн
13+68.50 грн
100+53.23 грн
500+41.92 грн
1000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+101.68 грн
200+69.95 грн
500+68.41 грн
1000+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.17 грн
10+73.34 грн
100+48.70 грн
500+36.24 грн
1000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key QS8J4TR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.