Продукція > ROHM > QS8J4TR
QS8J4TR

QS8J4TR ROHM

qs8j4-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.55 грн
500+39.17 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J4TR ROHM

Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції QS8J4TR за ціною від 27.26 грн до 153.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+61.63 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+109.93 грн
185+75.73 грн
247+56.65 грн
500+45.91 грн
1000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.58 грн
10+61.66 грн
100+39.22 грн
500+32.68 грн
1000+29.76 грн
3000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.57 грн
10+71.12 грн
100+47.54 грн
500+35.12 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : ROHM qs8j4-e.pdf Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.56 грн
11+80.24 грн
100+53.55 грн
500+39.17 грн
1000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+153.16 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.