Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8J4TR
QS8J4TR

QS8J4TR Rohm Semiconductor

qs8j4-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
166+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8J4TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції QS8J4TR за ціною від 32.76 грн до 155.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS8J4TR QS8J4TR Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.90 грн
10+82.11 грн
100+59.23 грн
500+46.47 грн
1000+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.60 грн
172+82.60 грн
238+59.59 грн
500+46.75 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+72.68 грн
100+48.57 грн
500+35.88 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR Rohm Semiconductor qs8j4-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR ROHM qs8j4-e.pdf Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR QS8J4TR ROHM qs8j4-e.pdf Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR qs8j4-e.pdf
QS8J4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.90 грн
10+82.11 грн
100+59.23 грн
500+46.47 грн
1000+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR qs8j4-e.pdf
QS8J4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+115.60 грн
172+82.60 грн
238+59.59 грн
500+46.75 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR datasheet?p=QS8J4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8J4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.56 грн
10+72.68 грн
100+48.57 грн
500+35.88 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR qs8j4-e.pdf
QS8J4TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
151+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR qs8j4-e.pdf
QS8J4TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J4TR qs8j4-e.pdf
QS8J4TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS8J4TR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.056ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.