
QS8K21TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 550mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 26.72 грн |
6000+ | 23.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8K21TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 550mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 45V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QS8K21TR за ціною від 24.59 грн до 110.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QS8K21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8K21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 550mW Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 7173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8K21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8K21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8K21TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QS8K21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
QS8K21TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
QS8K21TR |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |