QS8M31TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8M31TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QS8M31TR за ціною від 23.39 грн до 121.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
QS8M31TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W Kind of package: reel; tape Case: TSMD8 On-state resistance: 137/266mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 4...6A Power dissipation: 1.5W Gate charge: 4/7.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 3/-2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 970 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
QS8M31TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
QS8M31TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
QS8M31TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
QS8M31TR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TSMT8 NPCH 60V 3A |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
QS8M31TR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| QS8M31TR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W
Kind of package: reel; tape
Case: TSMD8
On-state resistance: 137/266mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4...6A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 4/7.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3/-2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W
Kind of package: reel; tape
Case: TSMD8
On-state resistance: 137/266mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4...6A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 4/7.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3/-2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 70.54 грн |
| 10+ | 45.35 грн |
| 100+ | 30.93 грн |
| 250+ | 26.86 грн |
| 500+ | 24.29 грн |
| QS8M31TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.11 грн |
| 10+ | 53.65 грн |
| 100+ | 35.33 грн |
| 500+ | 25.76 грн |
| 1000+ | 23.39 грн |
| QS8M31TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.61 грн |
| 12+ | 67.31 грн |
| QS8M31TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 204+ | 121.05 грн |
| QS8M31TR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TSMT8 NPCH 60V 3A
MOSFETs TSMT8 NPCH 60V 3A
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| QS8M31TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




