QS8M31TR Rohm Semiconductor
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 346+ | 36.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8M31TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QS8M31TR за ціною від 21.02 грн до 96.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS8M31TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QS8M31TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TSMT8 NPCH 60V 3A |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QS8M31TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
QS8M31TR Multi channel transistors |
на замовлення 978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
QS8M31TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |