Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8M31TR
QS8M31TR

QS8M31TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8M31TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

Інші пропозиції QS8M31TR за ціною від 19.67 грн до 121.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS8M31TR QS8M31TR ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4/7.2nC
On-state resistance: 137/266mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 3/-2A
Pulsed drain current: 4...6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
Case: TSMD8
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.70 грн
10+45.45 грн
100+31.00 грн
250+26.92 грн
500+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor qs8m31tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.28 грн
13+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.50 грн
100+34.60 грн
500+25.24 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TSMT8 NPCH 60V 3A
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+55.97 грн
100+32.10 грн
500+24.92 грн
1000+22.64 грн
3000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor qs8m31tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR QS8M31TR Rohm Semiconductor qs8m31tr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4/7.2nC
On-state resistance: 137/266mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 3/-2A
Pulsed drain current: 4...6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
Case: TSMD8
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.70 грн
10+45.45 грн
100+31.00 грн
250+26.92 грн
500+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR qs8m31tr-e.pdf
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+85.28 грн
13+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.98 грн
10+52.50 грн
100+34.60 грн
500+25.24 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR datasheet?p=QS8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8M31TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TSMT8 NPCH 60V 3A
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.01 грн
10+55.97 грн
100+32.10 грн
500+24.92 грн
1000+22.64 грн
3000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR qs8m31tr-e.pdf
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
204+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M31TR qs8m31tr-e.pdf
QS8M31TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.