Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8M51HZGTR
QS8M51HZGTR

QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor

qs8m51hzgtr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
275+51.58 грн
286+49.51 грн
500+47.72 грн
1000+44.52 грн
2500+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції QS8M51HZGTR за ціною від 28.44 грн до 106.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+64.02 грн
100+42.50 грн
500+31.23 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor qs8m51hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.62 грн
11+74.43 грн
100+52.92 грн
500+41.29 грн
1000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor qs8m51hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+106.26 грн
189+74.88 грн
266+53.23 грн
500+41.53 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs TSMT8 100V 1.5A N-CH MOSFET
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR ROHM qs8m51hzgtr-e.pdf Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR ROHM qs8m51hzgtr-e.pdf Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
QS8M51HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
10+64.02 грн
100+42.50 грн
500+31.23 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR qs8m51hzgtr-e.pdf
QS8M51HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+105.62 грн
11+74.43 грн
100+52.92 грн
500+41.29 грн
1000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR qs8m51hzgtr-e.pdf
QS8M51HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+106.26 грн
189+74.88 грн
266+53.23 грн
500+41.53 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
QS8M51HZGTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TSMT8 100V 1.5A N-CH MOSFET
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR qs8m51hzgtr-e.pdf
QS8M51HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR qs8m51hzgtr-e.pdf
QS8M51HZGTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.