Продукція > ROHM > QS8M51HZGTR
QS8M51HZGTR

QS8M51HZGTR ROHM

qs8m51hzgtr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.30 грн
500+34.79 грн
1000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8M51HZGTR ROHM

Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції QS8M51HZGTR за ціною від 27.07 грн до 103.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+58.32 грн
100+40.92 грн
500+30.07 грн
1000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+98.42 грн
200+64.42 грн
500+54.74 грн
1000+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : ROHM qs8m51hzgtr-e.pdf Description: ROHM - QS8M51HZGTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2 A, 1.5 A, 0.325 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.325ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.86 грн
13+65.03 грн
100+46.30 грн
500+34.79 грн
1000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+101.24 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs TSMT8 100V 1.5A N-CH MOSFET
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.85 грн
10+66.33 грн
100+41.12 грн
250+41.05 грн
500+33.25 грн
1000+28.77 грн
3000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51hzgtr-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.