QS8M51TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 36.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS8M51TR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QS8M51TR за ціною від 34.87 грн до 162.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS8M51TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QS8M51TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 16891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QS8M51TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4V Drive Nch + Pch MOSFET |
на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QS8M51TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QS8M51TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2/-1.5A; Idm: 6A; 1.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100/-100V Drain current: 2/-1.5A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.5W Case: TSMD8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 355/540mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.7/17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |