QS8M51TR

QS8M51TR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8M51TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

Інші пропозиції QS8M51TR за ціною від 28.73 грн до 99.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
324+36 грн
360+ 32.4 грн
373+ 31.24 грн
500+ 28.73 грн
Мінімальне замовлення: 324
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
227+51.33 грн
250+ 49.27 грн
500+ 47.49 грн
1000+ 44.3 грн
2500+ 39.81 грн
Мінімальне замовлення: 227
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
227+51.33 грн
250+ 49.27 грн
500+ 47.49 грн
1000+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 227
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 35296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.67 грн
10+ 50.72 грн
100+ 39.44 грн
500+ 31.37 грн
1000+ 31.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.2 грн
10+ 75.32 грн
100+ 53.21 грн
500+ 45.97 грн
1000+ 37.46 грн
3000+ 34.47 грн
6000+ 33.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
QS8M51TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2/1.5A; Idm: 6A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2/1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMD8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 355/540mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7/17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QS8M51TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2/1.5A; Idm: 6A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2/1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMD8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 355/540mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7/17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній