Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS8M51TR
QS8M51TR

QS8M51TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS8M51TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

Інші пропозиції QS8M51TR за ціною від 37.12 грн до 144.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
287+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
287+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 287
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : Rohm Semiconductor qs8m51-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 100V 2A/1.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+113.61 грн
200+79.20 грн
500+74.54 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4V Drive Nch + Pch MOSFET
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.22 грн
10+90.65 грн
100+54.11 грн
500+43.78 грн
1000+42.63 грн
3000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR QS8M51TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 32179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.05 грн
10+88.49 грн
100+59.73 грн
500+44.50 грн
1000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51TR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=QS8M51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key QS8M51TR Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.