QSE113 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 30.39 грн |
| 1000+ | 24.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QSE113 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet, tariffCode: 85414900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Abstrahlwinkel: 25°, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Radial bedrahtet, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99.
Інші пропозиції QSE113 за ціною від 22.03 грн до 60.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
QSE113 | ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
QSE113 | ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
QSE113 | ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
QSE113 | onsemi |
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RADPower - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Part Status: Active Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Viewing Angle: 50° Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Orientation: Side View Mounting Type: Through Hole Wavelength: 880nm Package / Case: Radial, Side View Packaging: Bulk |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
QSE113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtettariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Abstrahlwinkel: 25° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Radial bedrahtet Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 12952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 32.51 грн |
| 1000+ | 25.77 грн |
| 2000+ | 24.69 грн |
| 5000+ | 23.56 грн |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 33.43 грн |
| 1000+ | 26.78 грн |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 36.15 грн |
| 1000+ | 33.04 грн |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Part Status: Active
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Viewing Angle: 50°
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Orientation: Side View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 880nm
Package / Case: Radial, Side View
Packaging: Bulk
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Part Status: Active
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Viewing Angle: 50°
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Orientation: Side View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 880nm
Package / Case: Radial, Side View
Packaging: Bulk
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.22 грн |
| 10+ | 40.52 грн |
| 100+ | 29.84 грн |
| 500+ | 23.50 грн |
| 1000+ | 22.03 грн |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 25°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 25°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 12952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





