QSE113

QSE113 ON Semiconductor


qse114-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+27.98 грн
1000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QSE113 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet, tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Abstrahlwinkel: 25°, Bauform - Transistor: Radial bedrahtet, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції QSE113 за ціною від 21.69 грн до 70.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QSE113 QSE113 Виробник : ON Semiconductor qse114-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+29.94 грн
1000+23.73 грн
2000+22.73 грн
5000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113 QSE113 Виробник : ON Semiconductor qse114-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+32.98 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113 QSE113 Виробник : ON Semiconductor qse114jp-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.29 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113 QSE113 Виробник : onsemi QSE114-D.pdf Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.81 грн
10+40.91 грн
100+30.13 грн
500+23.73 грн
1000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113 QSE113 Виробник : ONSEMI 2288302.pdf Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 25°
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.27 грн
17+48.98 грн
25+44.64 грн
50+37.49 грн
100+30.89 грн
500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113 QSE113 Виробник : ON Semiconductor qse114-d.pdf Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSE113 QSE113 Виробник : onsemi / Fairchild E47A00D7275AE6F3625B4EAD3D849499557EA0D3760339E93B354761E64B1263.pdf Phototransistors 0.25mA PHOTO TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.