QSE113 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 31.47 грн |
| 1000+ | 25.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QSE113 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet, tariffCode: 85414900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Wellenlänge, typ.: 880nm, Stromverbrauch: 100mW, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Abstrahlwinkel: 25°, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Radial bedrahtet, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99.
Інші пропозиції QSE113 за ціною від 22.82 грн до 71.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QSE113 | ON Semiconductor |
 Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QSE113 | ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
QSE113 | ON Semiconductor |
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QSE113 | onsemi |
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD Packaging: Bulk Package / Case: Radial, Side View Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Side View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Viewing Angle: 50° Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW |
на замовлення 7983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QSE113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Abstrahlwinkel: 25° SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Radial bedrahtet Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 6623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| QSE113 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 33.68 грн |
| 1000+ | 26.69 грн |
| 2000+ | 25.57 грн |
| 5000+ | 24.40 грн |
| QSE113 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 34.62 грн |
| 1000+ | 27.74 грн |
| QSE113 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 37.45 грн |
| 1000+ | 34.22 грн |
| QSE113 |
|
Виробник: onsemi
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.26 грн |
| 10+ | 48.26 грн |
| 100+ | 35.55 грн |
| 500+ | 28.04 грн |
| 1000+ | 26.30 грн |
| 2000+ | 24.82 грн |
| 5000+ | 22.82 грн |
| QSE113 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 25°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - QSE113 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Abstrahlwinkel: 25°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)