QSE113E3R0 onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.62 грн |
| 10+ | 38.50 грн |
| 100+ | 25.05 грн |
| 500+ | 21.52 грн |
| 1000+ | 21.07 грн |
| 4000+ | 18.88 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QSE113E3R0 onsemi / Fairchild
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Radial, Side View, Wavelength: 880nm, Mounting Type: Through Hole, Orientation: Side View, Operating Temperature: -40°C ~ 100°C, Viewing Angle: 50°, Current - Dark (Id) (Max): 100 nA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 100 mW.
Інші пропозиції QSE113E3R0 за ціною від 23.05 грн до 63.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QSE113E3R0 | onsemi |
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RADPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Radial, Side View Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Side View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Viewing Angle: 50° Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
QSE113E3R0 | onsemi |
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RADPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Radial, Side View Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Side View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Viewing Angle: 50° Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| QSE113E3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 50 Bauform - Transistor: - Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| QSE113E3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| QSE113E3R0 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.48 грн |
| 10+ | 42.64 грн |
| 100+ | 31.26 грн |
| 500+ | 24.60 грн |
| 1000+ | 23.05 грн |
| QSE113E3R0 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
Description: SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Radial, Side View
Wavelength: 880nm
Mounting Type: Through Hole
Orientation: Side View
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Viewing Angle: 50°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| QSE113E3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| QSE113E3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


