Технічний опис R1LP0108ESF-5SI#S1 Renesas Electronics
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 55ns, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції R1LP0108ESF-5SI#S1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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R1LP0108ESF-5SI#S1 | RENESAS |
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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R1LP0108ESF-5SI#S1 | RENESAS |
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 VtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 55ns Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| R1LP0108ESF-5SI#S1 |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R1LP0108ESF-5SI#S1 |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: RENESAS - R1LP0108ESF-5SI#S1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K Wörter x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 1Mbit
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Produktpalette: -
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Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




