R1LP0108ESN-5SI#B1

R1LP0108ESN-5SI#B1 Renesas Electronics Corporation


r1lp0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0151ej0100 Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.39 грн
10+169.70 грн
25+164.70 грн
50+151.03 грн
100+147.50 грн
250+142.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1LP0108ESN-5SI#B1 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - R1LP0108ESN-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOP, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції R1LP0108ESN-5SI#B1 за ціною від 186.30 грн до 248.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R1LP0108ESN-5SI#B1 R1LP0108ESN-5SI#B1 Виробник : RENESAS 3212954.pdf Description: RENESAS - R1LP0108ESN-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.33 грн
10+235.26 грн
25+230.37 грн
50+210.14 грн
100+189.79 грн
250+186.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R1LP0108ESN-5SI#B1 R1LP0108ESN-5SI#B1 Виробник : Renesas Electronics REN_r10ds0270ej0200_memory_a_DST_20191029-3075703.pdf SRAM SRAM 1MB X8 5V SOP 55NS -40TO85C
на замовлення 14406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.06 грн
10+216.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R1LP0108ESN-5SI#B1 R1LP0108ESN-5SI#B1 Виробник : Renesas 121r10ds0151ej0100_memory.pdf 1Mb Advanced LPSRAM (128k Word X 8 bit)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R1LP0108ESN-5SI#B1 Виробник : RENESAS r1lp0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0151ej0100 Asynchronous SRAM, 1Mbit (128k x 8bit), 55ns , 2.7V~5.5V , -40+85°C AS6C1008-55SIN,LP621024DM55LLF,BS62LV1027SIP55,CY62128BNLL55SXI 628128/55 SOP32 =R1LP0108ESN-5SI#B0 PS1024/8/055 smd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+229.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.