R1LP0108ESN-5SI#B1 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-SOP
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.98 грн |
| 10+ | 167.52 грн |
| 25+ | 162.58 грн |
| 50+ | 149.09 грн |
| 100+ | 145.61 грн |
| 250+ | 141.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R1LP0108ESN-5SI#B1 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - R1LP0108ESN-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOP, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції R1LP0108ESN-5SI#B1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R1LP0108ESN-5SI#B1 | Renesas Electronics |
SRAM SRAM 1MB X8 5V SOP 55NS -40TO85C |
на замовлення 6539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
R1LP0108ESN-5SI#B1 | RENESAS |
Description: RENESAS - R1LP0108ESN-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
R1LP0108ESN-5SI#B1 | Renesas |
1Mb Advanced LPSRAM (128k Word X 8 bit) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| R1LP0108ESN-5SI#B1 |
|
Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 1MB X8 5V SOP 55NS -40TO85C
SRAM SRAM 1MB X8 5V SOP 55NS -40TO85C
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R1LP0108ESN-5SI#B1 |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LP0108ESN-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - R1LP0108ESN-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R1LP0108ESN-5SI#B1 |
|
Виробник: Renesas
1Mb Advanced LPSRAM (128k Word X 8 bit)
1Mb Advanced LPSRAM (128k Word X 8 bit)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)