R1LP5256ESP-5SI#B1 Renesas Electronics Corporation


r1lp5256e-series-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 28-SOP
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.55 грн
10+115.63 грн
25+112.31 грн
50+103.03 грн
100+100.67 грн
250+97.54 грн
500+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1LP5256ESP-5SI#B1 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - R1LP5256ESP-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 256 Kbit, 32Kword x 8 Bit, SOP, 28 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOP, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 32Kword x 8 Bit.

Інші пропозиції R1LP5256ESP-5SI#B1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R1LP5256ESP-5SI#B1 R1LP5256ESP-5SI#B1 Renesas Electronics r1lp5256e-series-datasheet SRAM SRAM 256KB X8 5V SOP 55NS -40TO85C
на замовлення 12058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R1LP5256ESP-5SI#B1 R1LP5256ESP-5SI#B1 RENESAS r1lp5256e-series-datasheet Description: RENESAS - R1LP5256ESP-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 256 Kbit, 32Kword x 8 Bit, SOP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 32Kword x 8 Bit
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R1LP5256ESP-5SI#B1 r1lp5256e-series-datasheet
Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 256KB X8 5V SOP 55NS -40TO85C
на замовлення 12058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R1LP5256ESP-5SI#B1 r1lp5256e-series-datasheet
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LP5256ESP-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 256 Kbit, 32Kword x 8 Bit, SOP, 28 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 32Kword x 8 Bit
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.