R1LV0108ESA-5SI#B1 Renesas Electronics


REN_r10ds0271ej0200_memory_a_DST_20191029-3075904.pdf
Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 1MB ADV. 3V STSOP32 55NS -40TO85C
на замовлення 466 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.65 грн
10+194.66 грн
100+155.90 грн
468+148.48 грн
1170+147.74 грн
2574+132.89 грн
10062+132.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1LV0108ESA-5SI#B1 Renesas Electronics

Description: RENESAS - R1LV0108ESA-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: STSOP, Speicherdichte: 1Mbit, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit.

Інші пропозиції R1LV0108ESA-5SI#B1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R1LV0108ESA-5SI#B1 R1LV0108ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc r1lv0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0152ej0100 Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R1LV0108ESA-5SI#B1 R1LV0108ESA-5SI#B1 RENESAS 3917651.pdf Description: RENESAS - R1LV0108ESA-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 1Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R1LV0108ESA-5SI#B1 r1lv0108e-series-datasheet-old-edition-r10ds0152ej0100
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R1LV0108ESA-5SI#B1 3917651.pdf
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LV0108ESA-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: STSOP
Speicherdichte: 1Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.