Технічний опис R1LV0108ESF-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc
Description: RENESAS - R1LV0108ESF-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM, Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції R1LV0108ESF-5SI#B1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R1LV0108ESF-5SI#B1 | Renesas Electronics |
 SRAM SRAM 1MB ADV. 3V TSOP32 55NS -40TO85C |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
R1LV0108ESF-5SI#B1 | RENESAS |
Description: RENESAS - R1LV0108ESF-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R1LV0108ESF-5SI#B1 |
|
Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 1MB ADV. 3V TSOP32 55NS -40TO85C
SRAM SRAM 1MB ADV. 3V TSOP32 55NS -40TO85C
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R1LV0108ESF-5SI#B1 |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LV0108ESF-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - R1LV0108ESF-5SI#B1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8 Bit, TSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM
Speicherkonfiguration: 128Kword x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)