R1LV0816ASB-5SI#B0 Renesas
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R1LV0816ASB-5SI#B0 Renesas
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції R1LV0816ASB-5SI#B0
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R1LV0816ASB-5SI#B0 | Виробник : Renesas |
 SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
R1LV0816ASB-5SI#B0 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |