R1LV1616HSA-4SI#B1 RENESAS
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - R1LV1616HSA-4SI#B1 - SRAM, 16 Mbit, 2M x 8bit / 1M x 16bit, 2.7V bis 3.6V, TSOP-I, 48 Pin(s), 45 ns
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 2M x 8bit / 1M x 16bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 45
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 16
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R1LV1616HSA-4SI#B1 RENESAS
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 16Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TSOP I, Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції R1LV1616HSA-4SI#B1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| R1LV1616HSA-4SI#B1 | Renesas Electronics |
SRAM SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 45NS -40TO85C |
на замовлення 573 шт: термін постачання 232-241 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R1LV1616HSA-4SI#B1 |
|
Виробник: Renesas Electronics
SRAM SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 45NS -40TO85C
SRAM SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 45NS -40TO85C
на замовлення 573 шт:
термін постачання 232-241 дні (днів)