Продукція > RENESAS > R1LV3216RSD-5SI#B0

R1LV3216RSD-5SI#B0 Renesas


rej03c0367_r1lv3216rds.pdf Виробник: Renesas
SRAM Chip Async Single 3V 32M-bit 4M/2M x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1LV3216RSD-5SI#B0 Renesas

Description: IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 52-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції R1LV3216RSD-5SI#B0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R1LV3216RSD-5SI#B0 Виробник : Renesas r1lv3216r-datasheet TSOP 52/I°/32MB X16 3V 32MBSDRX16TSOP3V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R1LV3216RSD-5SI#B0 R1LV3216RSD-5SI#B0 Виробник : Renesas Electronics America Inc r1lv3216r-datasheet Description: IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 52-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
R1LV3216RSD-5SI#B0 Виробник : Renesas Electronics REN_rej03c0367_r1lv3216rds_DST_20090507-1999061.pdf SRAM 32M Adv LPSRAM, Monochip, uTSOP, Pb-Free
товар відсутній