Продукція > RENESAS > R1LV5256ESP-5SI#S0
R1LV5256ESP-5SI#S0

R1LV5256ESP-5SI#S0 Renesas

ren_r10ds0269ej0200-memory-a_dst_20191029.pdf Виробник: Renesas
SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 256K-bit 32K x 8 55ns 28-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1LV5256ESP-5SI#S0 Renesas

Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 28-SOP, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції R1LV5256ESP-5SI#S0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R1LV5256ESP-5SI#S0 Виробник : Renesas R1LV5256E.pdf SOP 28/I°/Asynch SRAM 256Kb 32kx8 3,3V 70ns 256KBSRSX8SOP3V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R1LV5256ESP-5SI#S0 R1LV5256ESP-5SI#S0 Виробник : Renesas Electronics Corporation R1LV5256E.pdf Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R1LV5256ESP-5SI#S0 R1LV5256ESP-5SI#S0 Виробник : Renesas Electronics Corporation R1LV5256E.pdf Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R1LV5256ESP-5SI#S0 Виробник : Renesas Electronics r10ds0068ej0100_memory-1091380.pdf SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR T+R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.