R1RW0408DGE-2PR#B1 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 471.99 грн |
| 22+ | 414.73 грн |
| 44+ | 403.83 грн |
| 110+ | 340.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R1RW0408DGE-2PR#B1 Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ, Packaging: Tube, Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 36-SOJ, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 12 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції R1RW0408DGE-2PR#B1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R1RW0408DGE-2PR#B1 | Виробник : Renesas Electronics |
 SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C |
товару немає в наявності |