R1RW0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics Corporation


r1rw0416d-series-datasheet?r=498481
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 12 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1517.27 грн
10+1342.80 грн
25+1287.15 грн
135+1064.31 грн
270+1012.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1RW0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics Corporation

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II, Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 12 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA).

Інші пропозиції R1RW0416DSB-2PR#D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R1RW0416DSB-2PR#D1 R1RW0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics REN_r10ds0282ej0100-memory-a_DST_20191118.pdf SRAM ASYNC. 4M FAST SRAM
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R1RW0416DSB-2PR#D1 REN_r10ds0282ej0100-memory-a_DST_20191118.pdf
Виробник: Renesas Electronics
SRAM ASYNC. 4M FAST SRAM
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.