R1RW0416DSB-2PR#S1 Renesas Electronics Corporation


r1rp0416d-series-datasheet?r=498416
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: ASYNC. 4M FAST SRAM
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 12 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1RW0416DSB-2PR#S1 Renesas Electronics Corporation

Description: ASYNC. 4M FAST SRAM, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 12 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції R1RW0416DSB-2PR#S1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R1RW0416DSB-2PR#S1 Renesas Electronics REN_r10ds0282ej0100-memory-a_DST_20191118.pdf SRAM 4M FAST SRAM 3.3V x16 TSOP44
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R1RW0416DSB-2PR#S1 REN_r10ds0282ej0100-memory-a_DST_20191118.pdf
Виробник: Renesas Electronics
SRAM 4M FAST SRAM 3.3V x16 TSOP44
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.