R1RW0416DSB-2SR#D1 Renesas Electronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 446.25 грн |
| 10+ | 401.42 грн |
| 25+ | 342.09 грн |
| 50+ | 340.00 грн |
| 100+ | 299.59 грн |
| 270+ | 298.89 грн |
| 540+ | 290.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R1RW0416DSB-2SR#D1 Renesas Electronics
Description: SRAM 4MB FAST X16 3V TSOP 12NS -, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tray, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 12 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM.
Інші пропозиції R1RW0416DSB-2SR#D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| R1RW0416DSB-2SR#D1 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: SRAM 4MB FAST X16 3V TSOP 12NS -Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 12 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM |
товару немає в наявності |