R2J20657NP#G3 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 16V
Input Type: TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 25 V
Supplier Device Package: 40-QFN (6x6)
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 546.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R2J20657NP#G3 Renesas Electronics Corporation
Description: HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, Packaging: Bulk, Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 4.5V ~ 16V, Input Type: TTL, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 25 V, Supplier Device Package: 40-QFN (6x6), Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції R2J20657NP#G3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| R2J20657NP#G3 | Виробник : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
товару немає в наявності |