Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R4P030N03HZGT100
R4P030N03HZGT100

R4P030N03HZGT100 Rohm Semiconductor

r4p030n03hzgt100-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 3A, TO-243, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.30 грн
10+46.52 грн
50+34.39 грн
100+28.59 грн
500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R4P030N03HZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R4P030N03HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції R4P030N03HZGT100 за ціною від 17.81 грн до 86.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R4P030N03HZGT100 R4P030N03HZGT100 ROHM Semiconductor r4p030n03hzgt100-e.pdf MOSFETs Transistor, R4P030N03HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching
на замовлення 920 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+86.37 грн
10+39.11 грн
100+30.12 грн
500+23.31 грн
1000+21.04 грн
2000+18.25 грн
5000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R4P030N03HZGT100 R4P030N03HZGT100 ROHM r4p030n03hzgt100-e.pdf Description: ROHM - R4P030N03HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R4P030N03HZGT100 R4P030N03HZGT100 ROHM r4p030n03hzgt100-e.pdf Description: ROHM - R4P030N03HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R4P030N03HZGT100 r4p030n03hzgt100-e.pdf
R4P030N03HZGT100
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, R4P030N03HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching
на замовлення 920 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.37 грн
10+39.11 грн
100+30.12 грн
500+23.31 грн
1000+21.04 грн
2000+18.25 грн
5000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R4P030N03HZGT100 r4p030n03hzgt100-e.pdf
R4P030N03HZGT100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R4P030N03HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R4P030N03HZGT100 r4p030n03hzgt100-e.pdf
R4P030N03HZGT100
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R4P030N03HZGT100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.