R4P030N03HZGT100 Rohm Semiconductor


r4p030n03hzgt100-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 3A, TO-243, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R4P030N03HZGT100 Rohm Semiconductor

Description: NCH 30V 3A, TO-243, POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-89, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції R4P030N03HZGT100 за ціною від 20.83 грн до 72.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R4P030N03HZGT100 R4P030N03HZGT100 Rohm Semiconductor r4p030n03hzgt100-e.pdf Description: NCH 30V 3A, TO-243, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+43.80 грн
100+28.68 грн
500+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R4P030N03HZGT100 R4P030N03HZGT100 ROHM Semiconductor r4p030n03hzgt100-e.pdf MOSFETs R4P030N03HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R4P030N03HZGT100 r4p030n03hzgt100-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 3A, TO-243, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+43.80 грн
100+28.68 грн
500+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R4P030N03HZGT100 r4p030n03hzgt100-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs R4P030N03HZG is an automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. Ideal for Switching
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.