R6002END3TL1

R6002END3TL1 Rohm Semiconductor


r6002end3tl1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
395+29.57 грн
431+ 27.14 грн
443+ 26.36 грн
500+ 24.48 грн
1000+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 395
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6002END3TL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6002END3TL1 за ціною від 25.84 грн до 76.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R6002END3TL1 R6002END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6002end3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
245+47.65 грн
256+ 45.74 грн
500+ 44.09 грн
1000+ 41.13 грн
2500+ 36.95 грн
Мінімальне замовлення: 245
R6002END3TL1 R6002END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6002end3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
245+47.65 грн
256+ 45.74 грн
500+ 44.09 грн
1000+ 41.13 грн
Мінімальне замовлення: 245
R6002END3TL1 R6002END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6002END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.6 грн
10+ 55.56 грн
100+ 43.2 грн
500+ 34.37 грн
1000+ 28 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6002END3TL1 R6002END3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6002END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.6 грн
10+ 61.73 грн
100+ 41.82 грн
500+ 35.43 грн
1000+ 28.84 грн
2500+ 27.04 грн
5000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6002END3TL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6002END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6002END3TL1 R6002END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6002END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002END3TL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6002END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній