R6002END3TL1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 259+ | 55.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
259 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6002END3TL1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6002END3TL1 за ціною від 29.95 грн до 120.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6002END3TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 600V 2A TO-252 (DPAK) |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| R6002END3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 222+ | 64.33 грн |
| 250+ | 61.75 грн |
| 500+ | 59.51 грн |
| 1000+ | 55.52 грн |
| R6002END3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 190+ | 75.02 грн |
| 250+ | 72.02 грн |
| 500+ | 69.41 грн |
| 1000+ | 64.75 грн |
| 2500+ | 58.18 грн |
| R6002END3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
MOSFETs Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.56 грн |
| 10+ | 65.43 грн |
| 100+ | 43.59 грн |
| 500+ | 34.30 грн |
| 1000+ | 31.30 грн |
| R6002END3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.53 грн |
| 10+ | 66.48 грн |
| 100+ | 44.41 грн |
| 500+ | 32.81 грн |
| 1000+ | 29.95 грн |
| R6002END3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 120.55 грн |
| 200+ | 84.57 грн |
| 500+ | 71.95 грн |




