R6002END3TL1 Rohm Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 245+ | 49.81 грн |
| 256+ | 47.81 грн |
| 500+ | 46.09 грн |
| 1000+ | 42.99 грн |
| 2500+ | 38.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6002END3TL1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6002END3TL1 за ціною від 28.91 грн до 113.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6002END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6002END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6002END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
на замовлення 2113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6002END3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 600V 2A TO-252 (DPAK) |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
R6002END3TL1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
R6002END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |