Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6002ENHTB1
R6002ENHTB1

R6002ENHTB1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=R6002ENH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.62 грн
10+73.60 грн
100+49.83 грн
500+42.27 грн
1000+36.03 грн
2500+30.60 грн
10000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6002ENHTB1 ROHM Semiconductor

Description: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6002ENHTB1 за ціною від 35.15 грн до 103.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6002ENHTB1 R6002ENHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6002ENH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.21 грн
10+69.49 грн
100+51.93 грн
500+38.45 грн
1000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor r6002enhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENHTB1 R6002ENHTB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6002ENH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.