Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6003JND4TL1
R6003JND4TL1

R6003JND4TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6003JND4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
10+60.47 грн
100+40.07 грн
500+29.37 грн
1000+26.71 грн
2000+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6003JND4TL1 Rohm Semiconductor

Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R6003JND4TL1 за ціною від 26.42 грн до 99.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6003JND4TL1 R6003JND4TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6003JND4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 600V 1.3A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6003JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while mainta
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.32 грн
10+59.75 грн
100+34.64 грн
500+31.19 грн
1000+28.26 грн
2000+27.82 грн
4000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1 R6003JND4TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6003JND4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.