R6003KND4TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.23 грн |
| 10+ | 58.47 грн |
| 100+ | 38.59 грн |
| 500+ | 28.24 грн |
| 1000+ | 25.67 грн |
| 2000+ | 23.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6003KND4TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6003KND4TL1 за ціною від 22.67 грн до 102.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6003KND4TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6003KND4TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch |
на замовлення 7962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6003KND4TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
R6003KND4TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |