Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6003KND4TL1
R6003KND4TL1

R6003KND4TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6003KND4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.27 грн
10+57.95 грн
100+46.79 грн
500+34.14 грн
1000+31.57 грн
2000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6003KND4TL1 Rohm Semiconductor

Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6003KND4TL1 за ціною від 21.72 грн до 70.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6003KND4TL1 R6003KND4TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6003KND4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 600V 1.3A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6009KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.04 грн
10+61.11 грн
100+36.26 грн
500+30.31 грн
1000+25.83 грн
2000+23.34 грн
4000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1 R6003KND4TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6003KND4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.