R6004END3TL1

R6004END3TL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.67 грн
5000+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6004END3TL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6004END3TL1 за ціною від 48.28 грн до 127.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6004END3TL1 R6004END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6004end3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+110.02 грн
126+96.81 грн
131+92.86 грн
200+85.65 грн
500+69.67 грн
1000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1 R6004END3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.19 грн
10+95.16 грн
100+75.77 грн
500+60.17 грн
1000+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1 R6004END3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.65 грн
10+99.43 грн
100+65.34 грн
500+53.33 грн
1000+49.50 грн
2500+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R6004END3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.