R6004END3TL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.36 грн
5000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6004END3TL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції R6004END3TL1 за ціною від 43.56 грн до 115.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6004END3TL1 R6004END3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+89.30 грн
100+71.10 грн
500+56.46 грн
1000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1 R6004END3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
10+89.71 грн
100+58.96 грн
500+48.12 грн
1000+44.67 грн
2500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1 datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+89.30 грн
100+71.10 грн
500+56.46 грн
1000+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1 datasheet?p=R6004END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.17 грн
10+89.71 грн
100+58.96 грн
500+48.12 грн
1000+44.67 грн
2500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.