R6004END3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 56.01 грн |
| 5000+ | 51.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6004END3TL1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6004END3TL1 за ціною від 50.39 грн до 133.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6004END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R6004END3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 7053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6004END3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise |
на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|