R6004END4TL1

R6004END4TL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6004END4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.30 грн
10+59.71 грн
100+45.17 грн
500+33.26 грн
1000+30.33 грн
2000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6004END4TL1 Rohm Semiconductor

Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6004END4TL1 за ціною від 30.24 грн до 103.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6004END4TL1 R6004END4TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6004END4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 600V 2.4A SOT-223-3, Low-noise Power MOSFET: Power MOSFET R6004END4 is suitable for switching power supply.
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.60 грн
10+65.92 грн
100+39.12 грн
500+35.23 грн
1000+31.56 грн
2000+31.26 грн
4000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6004end4tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+92.50 грн
160+76.28 грн
206+59.34 грн
207+56.92 грн
500+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1 R6004END4TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.