R6004ENDTL

R6004ENDTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6004ENDTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6004ENDTL за ціною від 37.67 грн до 116.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6004ENDTL R6004ENDTL Виробник : Rohm Semiconductor r6004endtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+70.23 грн
250+69.27 грн
500+65.93 грн
1000+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL R6004ENDTL Виробник : Rohm Semiconductor r6004endtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+70.23 грн
250+69.27 грн
500+65.93 грн
1000+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL R6004ENDTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.19 грн
10+67.01 грн
100+57.82 грн
500+56.57 грн
1000+51.42 грн
2500+39.58 грн
5000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL R6004ENDTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.19 грн
10+99.70 грн
100+77.73 грн
500+60.26 грн
1000+47.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.