R6004ENDTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 49.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6004ENDTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6004ENDTL за ціною від 37.58 грн до 115.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6004ENDTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6004ENDTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6004ENDTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6004ENDTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 2521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|