Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6004JND3TL1
R6004JND3TL1

R6004JND3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6004JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.79 грн
10+105.50 грн
100+83.96 грн
500+66.67 грн
1000+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6004JND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R6004JND3TL1 за ціною від 54.75 грн до 145.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6004JND3TL1 R6004JND3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6004JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.56 грн
10+123.22 грн
100+72.51 грн
500+59.01 грн
1000+54.90 грн
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6004JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R6004JND3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1 R6004JND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.