R6004JND3TL1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.42 грн |
| 10+ | 127.51 грн |
| 100+ | 92.86 грн |
| 500+ | 78.54 грн |
| 1000+ | 67.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6004JND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6004JND3TL1 за ціною від 58.86 грн до 205.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252 |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6004JND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 143.13 грн |
| 113+ | 128.14 грн |
| 155+ | 93.32 грн |
| 500+ | 78.93 грн |
| 1000+ | 68.23 грн |
| R6004JND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.06 грн |
| 10+ | 118.50 грн |
| 50+ | 90.30 грн |
| 100+ | 76.21 грн |
| 500+ | 61.25 грн |
| R6004JND3TL1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
MOSFETs 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 205.31 грн |
| 10+ | 100.34 грн |
| 100+ | 78.38 грн |
| 500+ | 62.92 грн |
| 1000+ | 58.86 грн |
| R6004JND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)