Продукція > ROHM > R6004KNJTL
R6004KNJTL

R6004KNJTL ROHM

r6004knjtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6004KNJTL ROHM

Description: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6004KNJTL за ціною від 119.73 грн до 192.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6004KNJTL R6004KNJTL Виробник : ROHM Semiconductor r6004knjtl-e-1872921.pdf MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.18 грн
10+171.08 грн
25+140.78 грн
100+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTL R6004KNJTL Виробник : ROHM r6004knjtl-e.pdf Description: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTL R6004KNJTL Виробник : Rohm Semiconductor r6004knjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTL R6004KNJTL Виробник : Rohm Semiconductor r6004knjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.