R6004KNX Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.63 грн |
| 10+ | 78.45 грн |
| 100+ | 71.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6004KNX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції R6004KNX за ціною від 60.48 грн до 137.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6004KNX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| R6004KNX | Виробник : ROHM - Japan |
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6004KNX Rohm Semiconductor TR6004knx кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|