R6006ANX Rohm Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 127.36 грн |
| 101+ | 121.67 грн |
| 250+ | 116.79 грн |
| 500+ | 108.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6006ANX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6006ANX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| R6006ANX |
 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
R6006ANX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
R6006ANX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V DRIVE NCH MOSFET |
товару немає в наявності |