Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6006JND3TL1
R6006JND3TL1

R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.45 грн
10+139.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R6006JND3TL1 за ціною від 69.35 грн до 187.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6006JND3TL1 R6006JND3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.51 грн
10+153.61 грн
100+107.15 грн
250+106.42 грн
500+90.27 грн
1000+75.59 грн
2500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1 R6006JND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6006jnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1 R6006JND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6006jnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R6006JND3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1 R6006JND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6006JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.