R6006JNJGTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 112.34 грн |
| 10+ | 98.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6006JNJGTL ROHM
Description: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6006JNJGTL за ціною від 88.12 грн до 174.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
R6006JNJGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
R6006JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
R6006JNJGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET R6006JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. |
товар відсутній |