
R6006KNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
91+ | 135.19 грн |
134+ | 91.45 грн |
500+ | 90.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6006KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6006KNXC7G за ціною від 43.00 грн до 140.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6006KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6006KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6006KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |