Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > R6007ENJTL

R6007ENJTL

datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 190145
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції R6007ENJTL за ціною від 56.99 грн до 266.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.86 грн
191+74.41 грн
200+71.05 грн
203+67.46 грн
1000+60.54 грн
2000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.17 грн
10+137.87 грн
100+104.64 грн
500+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.10 грн
103+138.56 грн
135+105.17 грн
500+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.28 грн
10+121.78 грн
100+83.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+266.12 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL ROHM datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL ROHM datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL r6007enjtl-e.pdf
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
187+75.86 грн
191+74.41 грн
200+71.05 грн
203+67.46 грн
1000+60.54 грн
2000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL r6007enjtl-e.pdf
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+186.17 грн
10+137.87 грн
100+104.64 грн
500+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL r6007enjtl-e.pdf
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+187.10 грн
103+138.56 грн
135+105.17 грн
500+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.28 грн
10+121.78 грн
100+83.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL r6007enjtl-e.pdf
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+266.12 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENJTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL r6007enjtl-e.pdf
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.