R6007ENJTL


r6007enjtl-e.pdf
Код товару: 190145
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції R6007ENJTL за ціною від 59.67 грн до 149.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : ROHM r6007enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.49 грн
10+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.73 грн
10+124.98 грн
100+100.50 грн
500+77.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : ROHM Semiconductor r6007enjtl-e.pdf MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.28 грн
10+123.96 грн
100+89.01 грн
500+76.49 грн
1000+62.93 грн
2000+60.78 грн
5000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : ROHM r6007enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.