Продукція > ROHM > R6007ENJTL
R6007ENJTL

R6007ENJTL ROHM

r6007enjtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.95 грн
10+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6007ENJTL ROHM

Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6007ENJTL за ціною від 62.26 грн до 155.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.22 грн
10+125.40 грн
100+100.84 грн
500+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : ROHM Semiconductor r6007enjtl-e.pdf MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.78 грн
10+129.35 грн
100+92.88 грн
500+79.82 грн
1000+65.67 грн
2000+63.42 грн
5000+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : ROHM r6007enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL
Код товару: 190145
Додати до обраних Обраний товар

r6007enjtl-e.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR r6007enjtl-e.pdf R6007ENJTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Виробник : Rohm Semiconductor r6007enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.